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Power Integrations 宣布推出一款高效率、单通道碳化硅 (SiC) MOSFET 栅极驱动器SIC1182K

Power Integrations(高能效电源转换高压集成电路的领导者),今天宣布推出SIC1182K SCALE-iDriver™,这是一款高效率、单通道碳化硅 (SiC) MOSFET 栅极驱动器,无需外部升压级即可提供最高的峰值输出栅极电流。器件可以配置为支持与当今 SiC-MOSFET 的要求范围相匹配的不同栅极驱动电压要求;主要应用包括 UPS、光伏系统、伺服驱动器、焊接逆变器和电源。

 

SIC1182K在 125°C 的结温下 提供高达 8 A 的输出,使这些器件能够支持高达数百千瓦的 SiC-MOSFET 逆变器设计,而无需升压级。这可提高系统效率,并使客户能够仅生产一种设计来涵盖其不同额定功率逆变器的整个产品组合。高达 150 kHz 的开关频率支持多种应用。

 

SCALE-iDriver SIC1182K SiC 栅极驱动器采用 Power Integrations 的高速 FluxLink™ 通信技术,显着提高了隔离能力。FluxLink 是信号传输领域的一场革命,它取代了光耦合器和电容或基于硅的解决方案,显着提高了可靠性并提供高达 1200 V 的增强隔离。SCALE-iDriver 设备还包括系统关键保护功能,例如去饱和监测和电流 SENSE 读出、初级和次级欠压锁定 (UVLO) 和高级有源钳位 (AAC)。此外,保护电路可在 5 微秒内提供安全关断,满足 SiC 器件的快速保护需求。SIC1182K SiC 栅极驱动器具有较高的外部磁场抗扰度,其封装采用符合 IEC60112 的最高 CTI 等级 CTI600 的材料,可提供 ≥9.5 mm 的爬电距离和电气间隙。

 

Power Integrations 栅极驱动器产品高级营销总监 Michael Hornkamp 评论道:“碳化硅 MOSFET 技术为减小功率逆变器系统的尺寸和重量以及降低损耗打开了大门。采用 FluxLink™ 技术的 SCALE-iDriver 系列可实现安全、经济高效的逆变器设计,只需很少的外部组件,确保功能安全、紧凑的封装和最大化的效率。”

 

SCALE-iDriver 技术最大限度地减少了所需的外部组件数量并减少了 BOM;不需要钽电容或电解电容,只需要一个次级绕组。可以使用两层 PCB,这增加了设计的简单性、减少了组件数量并简化了供应链管理。

 

Power Integrations 的 SCALE-iDriver SIC1182K SiC 栅极驱动器符合 IEC60664-1 针对 1000 V 以下低压设备的隔离协调和 IEC61800-5-1 电动机驱动逆变器法规。UL 1577,5 kVAC 1 分钟,待定,VDE0884-10 正在处理中。

 

器件现已上市,10,000 片批量的单价为 4.65 美元。

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