Power Integrations（高能效电源转换高压集成电路的领导者），今天宣布其 InnoSwitch™3 系列离线 CV/ CC 反激式开关 IC。新 IC 在整个负载范围内具有高达 95% 的效率，并且在无需散热器的封闭式适配器实施中具有高达 100 W 的功率。这种突破性的性能提升是使用内部开发的高压 GaN 开关技术实现的。

准谐振 InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP 和 InnoSwitch3-Pro IC 将初级、次级和反馈电路组合在一个表面贴装封装中。在新发布的家族成员中，GaN 开关取代了 IC 初级侧的传统硅高压晶体管，降低了电流流动时的传导损耗，并显着降低了工作期间的开关损耗。这大大减少了能源浪费，从而提高了节省空间的 InSOP-24D 封装的效率和功率输出。

针对高效率反激式设计，例如用于移动设备、机顶盒、显示器、电器、网络和游戏产品的 USB-PD 和大电流充电器/适配器，新 IC 提供准确的 CV/CC/CP，独立于外部组件，并轻松连接到快速充电协议 IC。InnoSwitch3-CP 和 ‑EP 变体是硬件可配置的，而 InnoSwitch3-Pro 包含一个复杂的数字接口，用于软件控制 CV 和 CC 设定点、异常处理和安全模式选项。

Power Integrations 总裁兼首席执行官 Balu Balakrishnan 评论道：“GaN 是一项关键技术，与硅相比，它具有显着的效率和尺寸优势。我们预计在许多功率应用中从硅晶体管到 GaN 的快速转换。自从我们 18 个月前推出硅变体以来，InnoSwitch3 一直是离线开关 IC 市场的明显技术领导者，而新的基于 GaN 的 IC 通过提高我们反激式产品的效率和功率能力进一步扩大了我们的领先地位。”

Power Integrations 的新型 InnoSwitch 3 IC 现已上市，以 10,000 片为单位批量购买，价格为 4 美元/单位。